LM358DT vs LM358AD Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von LM358DT von STMicroelectronics und LM358AD von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter LM358DT LM358AD
Marke STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,05 $0,15
Number of Channels 2 2 (Dual)
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Input Bias Current 45 nA (typical) 45 nA (typical)
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.6 V/µs
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +70°C 0 °C to +70 °C
Gehäuse SOIC-8 (SO-8) 8-pin SOIC
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Amplifier Type — General Purpose, Low Power
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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