LM358DT vs LM358AD Comparación

Comparación detallada lado a lado de LM358DT por STMicroelectronics y LM358AD por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro LM358DT LM358AD
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,05 $0,15
Number of Channels 2 2 (Dual)
Supply Voltage (Single) 3 V to 32 V —
Supply Voltage (Split) ±1.5 V to ±16 V —
Quiescent Current (per Amp) 350 µA (typical) —
Input Offset Voltage 2 mV (typical) [DATA_NEEDED: input offset voltage]
Input Bias Current 45 nA (typical) 45 nA (typical)
Gain-Bandwidth Product 1.1 MHz —
Slew Rate 0.6 V/µs 0.6 V/µs
Common-Mode Rejection Ratio 85 dB (typical) —
Power Supply Rejection Ratio 100 dB (typical) —
Output Current 40 mA (source/sink) —
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +70°C 0 °C to +70 °C
Encapsulado SOIC-8 (SO-8) 8-pin SOIC
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
Amplifier Type — General Purpose, Low Power
Gain-Bandwidth Product (GBP) — 1.1 MHz
Supply Voltage Range (Single) — 3 V to 30 V
Supply Voltage Range (Dual) — ±1.5 V to ±16 V
Quiescent Current (per amplifier) — 0.7 mA (typical)
Input Common-Mode Range — 0 V to VCC−1.5 V
Output Voltage Swing — [DATA_NEEDED: output swing to rail]
ESD Protection — Yes (HBM, on inputs)
Internal Frequency Compensation — Yes

Hojas de datos y recursos

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