M29DW323DB70N3E vs M29W320DB70N3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29DW323DB70N3E von Micron Technology und M29W320DB70N3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | M29DW323DB70N3E | M29W320DB70N3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Flash |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,55 | $1,95 |
| Speichertyp | Flash - NOR | NOR Flash |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | 32 Mbit (33554 kbits) |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3 V class (per manufacturer datasheet) | — |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Gehäuse | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | — |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | ROHS3 Compliant |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| Speicherorganisation | — | 2M x 16 |
| Number of Words | — | 2000 k |
| Bits per Word | — | 16 bits |
| Supply Voltage (VCC) | — | 2.7 V to 3.6 V |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Block Architecture | — | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) |
| Programming Mode | — | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling |
| Power-Up Mode | — | Read mode (default) |