M29F200FT55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F200FB55N3E2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Abgekündigt

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FT55N3F2 M29F200FB55N3E2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Ende des Lebenszyklus
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $4,45
Speichertyp NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-pin TSOP —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel, 8/16-bit selectable
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

Datenblätter & Ressourcen

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