M29F200FT55N3F2 vs M29F200FB55N3E2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FT55N3F2 par Micron Technology et M29F200FB55N3E2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F200FB55N3E2 M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron

M29F200FB55N3E2 ✗ Fin de vie

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FT55N3F2 M29F200FB55N3E2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Fin de vie
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $4,45
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organisation de la mémoire 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K 128 K
Bits per Word 16 bits 16 bits
Boot Block Architecture Top Boot Block Bottom Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boîtier 48-pin TSOP —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel, 8/16-bit selectable
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tray
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Package Type — 48-pin TSOP I
Memory Cell Type — SLC NOR

Fiches techniques et ressources

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