M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F200FT55N3F2 von Micron Technology und M29F200FT55M3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Aktiv
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter M29F200FT55N3F2 M29F200FT55M3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $1,85
Speichertyp NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Speicherorganisation 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 48-pin TSOP 44-pin SO (TSOP)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Schnittstelle Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (T/R)
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern