M29F200FT55N3F2 vs M29F200FT55M3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology y M29F200FT55M3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F200FT55M3F2 M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron | Automotive

M29F200FT55M3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FT55N3F2 M29F200FT55M3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,85
Tipo de memoria NOR Flash, Parallel Parallel NOR Flash
Density 2 Mbit (2097 kbits) 2 Mbit (2097 kbits)
Organización de memoria 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 8 / 128K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block Top Boot Block
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-pin TSOP 44-pin SO (TSOP)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (T/R)
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Programming Interface — Embedded program/erase controller, byte or word
Automotive Qualification — Yes
Number of Words (x16 mode) — 128 K
Bits per Word (x16 mode) — 16 bits
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

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