M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von M29F800FT55M3F2 von Micron Technology und M29F800FB55N3F2 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Aktiv
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Spezifikationsvergleich

Parameter M29F800FT55M3F2 M29F800FB55N3F2
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,10 $2,47
Speichertyp Parallel NOR Flash —
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
Speicherorganisation 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
Betriebstemperatur -40C to +125C -40C to +125C
Gehäuse 44-pin SO (SOP) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Schnittstelle Parallel, x8/x16 selectable —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
RoHS-Status Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (lead-free terminations)
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Versorgungsspannung — 5 V
Schnittstellentyp — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

Datenblätter & Ressourcen

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