M29F800FT55M3F2 vs M29F800FB55N3F2 Сравнение

Подробное сравнение бок о бок M29F800FT55M3F2 от Micron Technology и M29F800FB55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Micron Technology
M29F800FT55M3F2 M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FT55M3F2 ✓ Активен
Micron Technology
M29F800FB55N3F2 M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 - 8Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F800FB55N3F2 ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр M29F800FT55M3F2 M29F800FB55N3F2
Бренд Micron Technology Micron Technology
Категория Memory ICs Memory ICs
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $2,10 $2,47
Тип памяти Parallel NOR Flash —
Density 8 Mbit (8389 kbits) —
Организация памяти 512K x 16 / 1M x 8 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Boot Block Position Top boot block —
Programming Interface Embedded program/erase controller —
Рабочая температура -40C to +125C -40C to +125C
Корпус 44-pin SO (SOP) —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) Tape & Reel (T/R)
Интерфейс Parallel, x8/x16 selectable —
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Статус RoHS Compliant (lead-free suffix F2) Compliant (lead-free terminations)
Memory Density — 8389 kbits (8 Mbit)
Напряжение питания — 5 V
Тип интерфейса — Parallel NOR
Boot Block Architecture — Bottom Boot Block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Temperature Grade — Automotive (AEC-Q100)
Package Type — 48-pin TSOP1
Package Shape — Rectangular (JESD designation TSOP1)
Terminal Count — 48
JESD-609 Termination Code — e3 (lead-free)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену