M29W128GH70N3E vs M29W128GH70ZA3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W128GH70N3E von Micron Technology und M29W128GH70ZA3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W128GH70ZA3E - 128Mbit Parallel NOR Flash, 70ns | Micron
M29W128GH70ZA3E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29W128GH70N3E | M29W128GH70ZA3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $2,70 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Speichergröße | 128 Mbit (16 MB) | 128 Mbit |
| Speicherorganisation | 8M x 16 / 16M x 8 | 8M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel (asynchronous) | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 2.7 V to 3.6 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Temperature Grade | Automotive | — |
| Gehäuse | 56-TSOP | 64-TBGA (10x13 mm) |
| Number of Terminals | 56 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Datenbusbreite | 16 bit (byte/word selectable) | — |
| Memory Density | 131072 kbit | — |
| Programming | Command-sequence program/erase with status polling | — |
| Application Segment | Automotive / Industrial code storage | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance] | — |
| Technology | — | SLC NOR |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GH suffix) |
| Program/Erase Voltage | — | [DATA_NEEDED: program/erase voltage] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| CFI Compliant | — | [DATA_NEEDED: CFI compliance] |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |