M29W128GL70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W128GL70ZA3E von Micron Technology und M29W128GL70ZS3E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron
M29W128GL70ZS3E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29W128GL70ZA3E | M29W128GL70ZS3E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,25 | $2,39 |
| Speichertyp | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 128 Mbit | — |
| Speicherorganisation | 16M x 8 / 8M x 16 | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Versorgungsspannung | 3V / 3.3V | 2.7 V to 3.6 V (3 V class) |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C (per distributor code data) |
| Gehäuse | 64-TBGA (10x13 mm) | 64-FBGA (11x13 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom boot (GL variant) | — |
| Bus Width Selection | BYTE pin (x8/x16) | — |
| Packaging | Tray | — |
| RoHS-Status | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Product Longevity Program | No | — |
| FBGA Code | [DATA_NEEDED: FBGA Code] | — |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] | — |
| Speichergröße | — | 128 Mbit (16 MB) |
| Family | — | M29W128G (GL variant) |
| Bus Width | — | x16 |
| Boot Block Architecture | — | Bottom boot (GL) |
| Program/Erase Supply | — | Single supply (no separate VPP required) |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |