M29W128GL70ZA3E vs M29W128GL70ZS3E 比較

詳細な並列比較: M29W128GL70ZA3E メーカー: Micron Technology および M29W128GL70ZS3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E - 128Mb NOR Flash 70ns 64-TBGA | Micron

M29W128GL70ZA3E ✓ 生産中
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M29W128GL70ZS3E M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E - 128Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W128GL70ZS3E ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29W128GL70ZA3E M29W128GL70ZS3E
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.25 $2.39
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash
Density 128 Mbit —
メモリ構成 16M x 8 / 8M x 16 —
インターフェース Parallel Parallel
Access Time 70 ns 70 ns
電源電圧 3V / 3.3V 2.7 V to 3.6 V (3 V class)
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C (per distributor code data)
パッケージ 64-TBGA (10x13 mm) 64-FBGA (11x13 mm)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Boot Block Location Bottom boot (GL variant) —
Bus Width Selection BYTE pin (x8/x16) —
Packaging Tray —
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Product Longevity Program No —
FBGA Code [DATA_NEEDED: FBGA Code] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Endurance] —
メモリサイズ — 128 Mbit (16 MB)
Family — M29W128G (GL variant)
Bus Width — x16
Boot Block Architecture — Bottom boot (GL)
Program/Erase Supply — Single supply (no separate VPP required)
MSLレベル — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]

データシート&リソース

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