M29W160FB70N3E vs M29W800FT70ZA3SE Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von M29W160FB70N3E von Micron Technology und M29W800FT70ZA3SE von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
M29W800FT70ZA3SE - 8Mbit 70ns NOR Flash | Micron | Embedded
M29W800FT70ZA3SE ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | M29W160FB70N3E | M29W800FT70ZA3SE |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | EEPROM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,58 | $1,38 |
| Speichertyp | FLASH - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| Speichergröße | 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) | 8 Mbit |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Supply Voltage (VCC) | 3.0 V to 3.6 V | — |
| Programming Voltage | Single supply (no separate VPP required) | — |
| Bus Configuration | x8 / x16 selectable (BYTE# pin) | — |
| Architecture | Boot block | — |
| Gehäuse / Bauform | 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tray | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | -40C to +125C |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Status Output | Data polling / toggle bit | — |
| Block Protection | Yes (boot block protection) | — |
| Speicherorganisation | — | 512K x 16 |
| Technology | — | SLC |
| Versorgungsspannung | — | 2.7 V to 3.6 V |
| Gehäuse | — | 48-TFBGA (6x8 mm) |
| Programming Interface | — | CFI command set |
| Boot Block Architecture | — | Top boot (FT = top boot block) |
| Density | — | 8 Mb |
| FBGA Code | — | [DATA_NEEDED: FBGA code] |
| Chipset Validation | — | N/A |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Program/Erase Cycles | — | [DATA_NEEDED: endurance] |