MC9S08QG8CDNE vs MC9S08QG8CPBE Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MC9S08QG8CDNE von NXP Semiconductors und MC9S08QG8CPBE von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MC9S08QG8CDNE MC9S08QG8CDNE - 20MHz 8-Bit Flash MCU | NXP | SOIC-8

MC9S08QG8CDNE - 20MHz 8-Bit Flash MCU | NXP | SOIC-8

MC9S08QG8CDNE ✓ Aktiv
NXP Semiconductors
MC9S08QG8CPBE MC9S08QG8CPBE - 8KB Flash 8-bit HCS08 MCU | NXP | DIP-16

MC9S08QG8CPBE - 8KB Flash 8-bit HCS08 MCU | NXP | DIP-16

MC9S08QG8CPBE Nrnd

Spezifikationsvergleich

Parameter MC9S08QG8CDNE MC9S08QG8CPBE
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie Microcontrollers Microcontrollers
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $2,46
Product Type 8-bit HCS08 microcontroller —
Maximum CPU Frequency 20 MHz 20 MHz
Bus Frequency 10 MHz —
Architecture CISC —
CPU Core Enhanced HCS08 8-bit CPU —
Instruction Set HC08 with BGND instruction —
Internal Flash Memory 8 KB —
RAM Memory 0.512 KB —
Versorgungsspannung 1.8 V to 3.6 V —
I/O Ports 6 —
General-Purpose I/O Pins 4 —
ADC 4-channel 10-bit ADC 10-bit, 12-channel
Gehäuse 8-pin SOIC, MS-012AA 16-pin PDIP (PBE), 7.62 mm row spacing
Montageart Surface mount Through-Hole
Lebenszyklusstatus Active —
RoHS-Status Compliant Compliant
Debug Support Background debugging system with breakpoint capability —
Core — HCS08 (8-bit)
Program Flash — 8 KB (8K x 8)
RAM — 512 B
Supply Voltage (VDD) — 1.8 V to 3.6 V
I/O Pins — 6
Timers — 2 (TPM1, TPM2)
Serial Interfaces — SCI (UART), IIC (I2C)
Betriebstemperatur — -40C to +85C
Debug Interface — Background Debug (single-wire) + single hardware breakpoint
Low-Voltage Detect — Yes (LVD with reset)
MSL-Level — 1 (unlimited floor life, not moisture sensitive)

Datenblätter & Ressourcen

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