MC9S08QG8CDNE vs MC9S08QG8CPBE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MC9S08QG8CDNE par NXP Semiconductors et MC9S08QG8CPBE par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MC9S08QG8CDNE MC9S08QG8CDNE - 20MHz 8-Bit Flash MCU | NXP | SOIC-8

MC9S08QG8CDNE - 20MHz 8-Bit Flash MCU | NXP | SOIC-8

MC9S08QG8CDNE ✓ Actif
NXP Semiconductors
MC9S08QG8CPBE MC9S08QG8CPBE - 8KB Flash 8-bit HCS08 MCU | NXP | DIP-16

MC9S08QG8CPBE - 8KB Flash 8-bit HCS08 MCU | NXP | DIP-16

MC9S08QG8CPBE Nrnd

Comparaison des spécifications

Paramètre MC9S08QG8CDNE MC9S08QG8CPBE
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Microcontrollers Microcontrollers
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $2,46
Product Type 8-bit HCS08 microcontroller —
Maximum CPU Frequency 20 MHz 20 MHz
Bus Frequency 10 MHz —
Architecture CISC —
CPU Core Enhanced HCS08 8-bit CPU —
Instruction Set HC08 with BGND instruction —
Internal Flash Memory 8 KB —
RAM Memory 0.512 KB —
Tension d'alimentation 1.8 V to 3.6 V —
I/O Ports 6 —
General-Purpose I/O Pins 4 —
ADC 4-channel 10-bit ADC 10-bit, 12-channel
Boîtier 8-pin SOIC, MS-012AA 16-pin PDIP (PBE), 7.62 mm row spacing
Type de montage Surface mount Through-Hole
Statut du cycle de vie Active —
Statut RoHS Compliant Compliant
Debug Support Background debugging system with breakpoint capability —
Core — HCS08 (8-bit)
Program Flash — 8 KB (8K x 8)
RAM — 512 B
Supply Voltage (VDD) — 1.8 V to 3.6 V
I/O Pins — 6
Timers — 2 (TPM1, TPM2)
Serial Interfaces — SCI (UART), IIC (I2C)
Température de fonctionnement — -40C to +85C
Debug Interface — Background Debug (single-wire) + single hardware breakpoint
Low-Voltage Detect — Yes (LVD with reset)
Niveau MSL — 1 (unlimited floor life, not moisture sensitive)

Fiches techniques et ressources

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