MMBT3904-7-F vs MMBT3904-AQ Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MMBT3904-7-F von Diodes Incorporated und MMBT3904-AQ von Diotec Semiconductor. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ AktivDiotec Semiconductor
MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec
MMBT3904-AQ ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MMBT3904-7-F | MMBT3904-AQ |
|---|---|---|
| Marke | Diodes Incorporated | Diotec Semiconductor |
| Kategorie | Transistors | Transistors |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,04 | $0,07 |
| Transistortyp | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN |
| Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) | 40 V | 40 V |
| Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) | 40 V | 60 V |
| Emitter-Basis-Spannung (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (PD) | 300 mW | — |
| Übergangsfrequenz (ft) | 300 MHz minimum | 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V | 100 to 300 |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) | 200 mV typical @ IC=10 mA | — |
| Betriebstemperaturbereich | -55 C to +150 C | — |
| Gehäuse / Bauform | SOT-23-3 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Construction | Epitaxial Planar | Epitaxial planar |
| Complementary PNP Type | MMBT3906-7-F | — |
| RoHS Compliance | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) | — |
| Gehäuse | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 350 mW |
| Betriebstemperatur | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Pin Configuration | — | Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector |