MMBT3904-7-F vs MMBT3904-AQ Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MMBT3904-7-F par Diodes Incorporated et MMBT3904-AQ par Diotec Semiconductor. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ ActifDiotec Semiconductor
MMBT3904-AQ - 40V NPN BJT, 200mA, SOT-23, AEC-Q101 | Diotec
MMBT3904-AQ ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MMBT3904-7-F | MMBT3904-AQ |
|---|---|---|
| Marque | Diodes Incorporated | Diotec Semiconductor |
| Catégorie | Transistors | Transistors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,04 | $0,07 |
| Type de transistor | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN |
| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 40 V | 40 V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 40 V | 60 V |
| Tension émetteur-base (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (PD) | 300 mW | — |
| Fréquence de transition (ft) | 300 MHz minimum | 300 MHz (at VCE=20V, IC=10mA) |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V | 100 to 300 |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 200 mV typical @ IC=10 mA | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C | — |
| Boîtier / Format | SOT-23-3 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Die Construction | Epitaxial Planar | Epitaxial planar |
| Complementary PNP Type | MMBT3906-7-F | — |
| RoHS Compliance | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) | — |
| Boîtier | — | SOT-23-3 (TO-236) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 350 mW |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Pin Configuration | — | Pin 1: Base, Pin 2: Emitter, Pin 3: Collector |