MMBT3904 vs MMBT3904LT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMBT3904 von onsemi und MMBT3904LT1 von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter MMBT3904 MMBT3904LT1
Marke onsemi onsemi
Kategorie Transistors Transistors
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,04 $0,04
Transistortyp NPN —
Gehäuse SOT-23 (TO-236AB), 3 pins SOT-23 (TO-236), 3-pin
Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo) 40 V 40 V
Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo) 60 V 60 V
Emitter-Basis-Spannung (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW to 350 mW (board-dependent) 200 mW (on minimum recommended pad)
Übergangsfrequenz (ft) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA) 300 MHz (min)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V) 100 to 300
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Betriebstemperaturbereich -55C to +150C (junction) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Lead-Free / RoHS Yes (fully RoHS compliant per datasheet) —
Automotive Grade (AEC-Q101) Qualified by selected suppliers —
Polarity — NPN
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC]
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55 °C to +150 °C
Die Construction — Epitaxial Planar
RoHS-Status — Compliant (Lead Free version available)
AEC-Q101 Qualified — Yes (S-prefix variant)

Datenblätter & Ressourcen

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