MMBT3904 vs MMBT3904LT1 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MMBT3904 por onsemi y MMBT3904LT1 por onsemi. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro MMBT3904 MMBT3904LT1
Marca onsemi onsemi
Categoría Transistors Transistors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,04 $0,04
Tipo de transistor NPN —
Encapsulado SOT-23 (TO-236AB), 3 pins SOT-23 (TO-236), 3-pin
Tensión colector-emisor (Vceo) 40 V 40 V
Tensión colector-base (Vcbo) 60 V 60 V
Tensión emisor-base (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW to 350 mW (board-dependent) 200 mW (on minimum recommended pad)
Frecuencia de transición (ft) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA) 300 MHz (min)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V) 100 to 300
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
Rango de temperatura de funcionamiento -55C to +150C (junction) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Lead-Free / RoHS Yes (fully RoHS compliant per datasheet) —
Automotive Grade (AEC-Q101) Qualified by selected suppliers —
Polarity — NPN
Tensión de saturación colector-emisor (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC]
Temperatura de unión de funcionamiento — -55 °C to +150 °C
Die Construction — Epitaxial Planar
Estado RoHS — Compliant (Lead Free version available)
AEC-Q101 Qualified — Yes (S-prefix variant)

Hojas de datos y recursos

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