MMG3001NT1 vs MMG3002NT1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MMG3001NT1 von NXP Semiconductors und MMG3002NT1 von NXP Semiconductors. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd

Spezifikationsvergleich

Parameter MMG3001NT1 MMG3002NT1
Marke NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Kategorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Lebenszyklusstatus Aktiv NRND
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,68 $2,65
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Part Number MMG3001NT1 —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
RF Type General Purpose Amplifier General Purpose
Frequency Range 40 MHz to 3.6 GHz 40 MHz to 3600 MHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output P1dB 18.5 dBm —
Noise Figure 4.1 dB (typical) —
Supply Voltage (Vcc) 5 V typical, 5.6 V maximum —
Versorgungsstrom 58 mA typical 110 mA (typical)
Topologie Class A, internally biased —
Input Matching Internal, 50 ohm —
Output Matching Internal, 50 ohm —
Gehäuse SOT-89 (TO-243AA) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet] —
RoHS-Status Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet] Compliant
Funktion — General Purpose RF Amplifier (Class A)
Output Power (P1dB) — 21 dBm (typical)
Versorgungsspannung — 5.2 V (typical)
Input / Output Impedance — Internally matched to 50 ohm
Gehäuse / Bauform — TO-243AA (SOT-89)
Operating Mode — Class A, small-signal, high linearity
Anzahl der Pins — 4 (3 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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