MMG3001NT1 vs MMG3002NT1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MMG3001NT1 par NXP Semiconductors et MMG3002NT1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MMG3002NT1 MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 - 40-3600 MHz, 20 dB, InGaP HBT GPA | NXP

MMG3002NT1 Nrnd

Comparaison des spécifications

Paramètre MMG3001NT1 MMG3002NT1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Amplifiers
Statut du cycle de vie Actif NRND
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,68 $2,65
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) —
Part Number MMG3001NT1 —
Technology InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) InGaP HBT (Heterojunction Bipolar Transistor)
RF Type General Purpose Amplifier General Purpose
Frequency Range 40 MHz to 3.6 GHz 40 MHz to 3600 MHz
Small-Signal Gain 20 dB (typical) 20 dB (typical)
Output P1dB 18.5 dBm —
Noise Figure 4.1 dB (typical) —
Supply Voltage (Vcc) 5 V typical, 5.6 V maximum —
Courant d'alimentation 58 mA typical 110 mA (typical)
Topologie Class A, internally biased —
Input Matching Internal, 50 ohm —
Output Matching Internal, 50 ohm —
Boîtier SOT-89 (TO-243AA) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40C to +85C [DATA_NEEDED: exact range from datasheet] —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: confirm from official datasheet] Compliant
Fonction — General Purpose RF Amplifier (Class A)
Output Power (P1dB) — 21 dBm (typical)
Tension d'alimentation — 5.2 V (typical)
Input / Output Impedance — Internally matched to 50 ohm
Boîtier / Format — TO-243AA (SOT-89)
Operating Mode — Class A, small-signal, high linearity
Nombre de broches — 4 (3 + Tab)
Packaging — Tape & Reel (TR)

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