MT29F4G01ABBFD12-AUT:F vs MT25QU01GBBB8E12-0AUT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT29F4G01ABBFD12-AUT:F von Micron Technology und MT25QU01GBBB8E12-0AUT von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron

MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ Aktiv
Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron

MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT29F4G01ABBFD12-AUT:F MT25QU01GBBB8E12-0AUT
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie EEPROM Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,58 $7,10
Speichertyp FLASH - NAND (SLC) Memory IC NOR Flash, Serial (SPI)
Schnittstelle SPI SPI, Dual SPI, Quad SPI
Speichergröße 4 Gbit (512 MB) —
Cell Type SLC (Single-Level Cell) —
Gehäuse TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) 24-T-PBGA (6x8 mm)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AUT grade, :F automotive suffix AEC-Q100 qualified
Versorgungsspannung [DATA_NEEDED: VCC range] 1.8 V
Max Clock Frequency [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] 133 MHz
Page Size [DATA_NEEDED: page size] —
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
On-Die ECC Yes (ECD feature of serial NAND family) —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: temperature range] -40C to +125C
RoHS-Status Compliant (lead-free :F suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] [DATA_NEEDED: MSL level]
Density — 1 Gbit (128 MB)
Speicherorganisation — x1 / x2 / x4 (I/O width)
Access Time — 6 ns
FBGA Code — RW320
Write Protection — Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch
Product Longevity Program — No
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]

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