MT40A1G8SA-062E vs YZ48G08V-F9HPI-M Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A1G8SA-062E von Micron Technology und YZ48G08V-F9HPI-M von Loongtion. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A1G8SA-062E MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A1G8SA-062E ✓ Aktiv
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A1G8SA-062E YZ48G08V-F9HPI-M
Marke Micron Technology Loongtion
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,05 $7,20
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gb
Speicherorganisation 1G x 8 1G x 8
Datenrate 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time (CAS Latency) CL22 at 3200 MT/s —
Row Access Time 19 ns —
VDD / VDDQ 1.2 V +/-60 mV —
VPP 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Internal Banks 16 banks (4 bank groups x 4 banks) —
Refresh 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) —
Betriebstemperatur 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) —
I/O Type 1.2 V pseudo open-drain —
Burst Length BL8, BC4 (burst chop) —
Gehäuse 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Eigenschaften Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ —
Versorgungsspannung — 1.2 V
Betriebstemperaturbereich — -40°C to +85°C
Package Type — FBGA78
Schnittstelle — Parallel
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
RoHS-Status — Compliant
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

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