MT40A1G8SA-075:E vs K4A8G085WC-BCTD Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A1G8SA-075:E von Micron Technology und K4A8G085WC-BCTD von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Letzte BestellmöglichkeitSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A1G8SA-075:E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Letzte Kaufgelegenheit |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,30 | $50,85 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8Gbit (1G x 8) | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Datenrate | 2666 MT/s | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| Gehäuse | 78-FBGA (7.5x11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | Yes |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gb |
| Speicherorganisation | — | 1G x 8 |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Betriebstemperatur | — | 0C to +95C |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Burst Length | — | 8 (chop 4) |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Schnittstellentyp | — | Synchronous, parallel |