MT40A1G8SA-075:E vs YZ48G08V-F9HPI-M Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A1G8SA-075:E von Micron Technology und YZ48G08V-F9HPI-M von Loongtion. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A1G8SA-075:E MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 1.33GHz | Micron

MT40A1G8SA-075:E ✓ Aktiv
Loongtion
YZ48G08V-F9HPI-M YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M - 8Gb DDR4 SDRAM, 3200 MT/s | Loongtion

YZ48G08V-F9HPI-M ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A1G8SA-075:E YZ48G08V-F9HPI-M
Marke Micron Technology Loongtion
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,30 $7,20
Speichertyp SDRAM - DDR4 DDR4 SDRAM
Speichergröße 8Gbit (1G x 8) —
Schnittstelle Parallel Parallel
Clock Frequency 1.33 GHz —
Datenrate 2666 MT/s 3200 MT/s
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Supply Voltage 2.5V (-125mV, +250mV) —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C -40°C to +85°C
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
Gehäuse 78-FBGA (7.5x11 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Write Leveling Supported —
Dynamic On-Chip Termination Supported —
CRC Function Supported —
Data Mask Function Supported —
RoHS-Status Compliant Compliant
Density — 8 Gb
Speicherorganisation — 1G x 8
Versorgungsspannung — 1.2 V
Package Type — FBGA78
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Row Cycle Time (tRC) — [DATA_NEEDED: tRC]
Refresh Cycle Time (tRFC) — [DATA_NEEDED: tRFC]
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — Not Applicable

Datenblätter & Ressourcen

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