MT40A1G8SA-075:E vs YZ48G08V-F9HPI-M 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT40A1G8SA-075:E 제조: Micron Technology 및 YZ48G08V-F9HPI-M 제조: Loongtion. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT40A1G8SA-075:E | YZ48G08V-F9HPI-M |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Loongtion |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.30 | $7.20 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8Gbit (1G x 8) | — |
| 인터페이스 | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s | 3200 MT/s |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C | -40°C to +85°C |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| 패키지 | 78-FBGA (7.5x11 mm) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Write Leveling | Supported | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Supported | — |
| CRC Function | Supported | — |
| Data Mask Function | Supported | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 1G x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Package Type | — | FBGA78 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Row Cycle Time (tRC) | — | [DATA_NEEDED: tRC] |
| Refresh Cycle Time (tRFC) | — | [DATA_NEEDED: tRFC] |
| REACH Status | — | Compliant |
| AEC-Q100 | — | Not Applicable |