MT40A512M16HA-083E vs MT40A512M16LY-062E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16HA-083E von Micron Technology und MT40A512M16LY-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16HA-083E MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E - 8Gb DDR4-2400 SDRAM | Micron

MT40A512M16HA-083E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200MT/s | Micron

MT40A512M16LY-062E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16HA-083E MT40A512M16LY-062E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,00 $6,65
Speichertyp DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Memory Density 8Gbit —
Memory Organization 512M x 16 —
Data Interface Parallel DDR4, 16-bit —
Datenrate 1.2 GHz data clock; DDR4-2400 class 3200 MT/s
VDD Supply 1.2 V plus or minus 60 mV —
VDDQ Supply 1.2 V plus or minus 60 mV —
VPP Supply 2.5 V, -125 mV to +250 mV —
I/O Interface 1.2V pseudo open-drain 1.2 V pseudo open-drain
Referenzspannung On-die internal adjustable VREFDQ —
Refresh Cycle Count 8192 cycles —
Refresh Time, -40C to 85C 64 ms —
Refresh Time, >85C to 95C 32 ms —
Refresh Time, >95C 16 ms —
Gehäuse 96-ball FBGA, 9 x 14 mm 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm)
Ball Pitch 0.8 mm —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +95C (IT grade)
RoHS-Status Compliant Compliant
Speichergröße — 8 Gbit
Speicherorganisation — 512M x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time — 19 ns
Supply Voltage VDD/VDDQ — 1.2 V +/- 60 mV
Supply Voltage VPP — 2.5 V (-125 mV, +250 mV)
Bank Architecture — 16 banks in 2 groups of 4 (x16)
Refresh — 8192-cycle; 64 ms at -40C to +85C, 32 ms >85C to +95C, 16 ms >95C
Eigenschaften — Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, data mask, auto precharge, async reset, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ

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