MT40A512M16LY-062E AAT:E vs MT40A512M16LY-062E:E Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-062E AAT:E von Micron Technology und MT40A512M16LY-062E:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Aktiv
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MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E:E
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $9,20 $34,99
Speichertyp DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Speichergröße 8 Gbit (1 GB) —
Memory Organization 512M x 16 —
Schnittstelle Parallel Parallel (LVCMOS / SSTL)
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
Access Time 19 ns —
Versorgungsspannung 1.2 V —
Speed Grade 062E —
Gehäuse 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Density — 8 Gbit (512M x 16)
Speicherorganisation — x16
Datenrate — 3200 MT/s
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
Gehäuse / Bauform — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
On-Die Termination — Yes (ODT)
Write Leveling — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

Datenblätter & Ressourcen

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