MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16TB-062E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT40A512M16LY-075:E von Micron Technology und MT40A512M16TB-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,80 | $60,00 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Datenrate | 2666 MT/s | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| CAS-Latenz | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Schnittstelle | Parallel | Parallel |
| Gehäuse | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Eigenschaften | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |