MT40A512M16LY-075:E vs MT40A512M16TB-062E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-075:E por Micron Technology y MT40A512M16TB-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A512M16LY-075:E - 8Gb DDR4 SDRAM 2666MT/s | Micron
MT40A512M16LY-075:E ✓ Activo
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A512M16LY-075:E | MT40A512M16TB-062E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,80 | $60,00 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s | 1600 MHz (DDR4-3200) |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| Latencia CAS | 19 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Encapsulado | 96-FBGA (7.5x13.5mm) | 96-FBGA (7.5x13 mm) |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | 0°C to +95°C (standard), -40°C to +95°C (IT) |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | 8192 cycles; 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C |
| Internal Banks (x16) | 8 banks (4 groups of 2) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Organización de memoria | — | 512M x 16 |
| Supply Voltage - VDD/VDDQ | — | 1.2V ±60mV |
| Supply Voltage - VPP | — | 2.5V, -125mV, +250mV |
| tRCD | — | 19 ns |
| Características | — | Auto self-refresh, auto precharge, write leveling, CRC, dynamic on-chip termination, ZQ calibration |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| REACH Status | — | Compliant |