MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-15E:D Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology und MT41K256M16RE-15E:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Aktiv
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MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-15E:D
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $7,20
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS-Latenz 13.75 ns 11 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (10x14 mm)
Anzahl der Pins 96 96
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (TC) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Datenbusbreite 16 bits —
Logic Family CMOS —
Speichergröße — 4Gb (256M x 16)
Datenrate — 667 MHz (DDR3L-1333)
Access Time — 13.5 ns
Versorgungsspannung — 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V)
Betriebstemperatur — -40°C to 95°C (TC)
Schnittstelle — Parallel
Burst Length — 8, 4

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