MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-15E:D Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology y MT41K256M16RE-15E:D por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Activo
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MT41K256M16RE-15E:D MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-15E:D ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-15E:D
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $7,20
Tipo de memoria DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latencia CAS 13.75 ns 11 (typical)
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) 96-FBGA (10x14 mm)
Número de pines 96 96
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (TC) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Ancho del bus de datos 16 bits —
Logic Family CMOS —
Tamaño de memoria — 4Gb (256M x 16)
Velocidad de datos — 667 MHz (DDR3L-1333)
Access Time — 13.5 ns
Tensión de alimentación — 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V)
Temperatura de funcionamiento — -40°C to 95°C (TC)
Interfaz — Parallel
Burst Length — 8, 4

Hojas de datos y recursos

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