MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-PBL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5TC4G63CFR-PBL von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-PBL
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,36 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) 4 Gb (256M x 16)
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS-Latenz 11 11, 12, 13
Datenrate — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Burst Length — 8
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes

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