MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63CFR-PBL 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology 및 H5TC4G63CFR-PBL 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ 활성
SK hynix
H5TC4G63CFR-PBL H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63CFR-PBL ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16HA-125 H5TC4G63CFR-PBL
브랜드 Micron Technology SK hynix
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $6.36 $6.50
메모리 유형 SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
메모리 크기 4Gbit (256M x 16) 4 Gb (256M x 16)
데이터 버스 폭 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
공급 전압 1.35 V 1.35 V
패키지 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
핀 수 96 —
실장 유형 Surface Mount —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
RoHS 상태 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS 레이턴시 11 11, 12, 13
데이터 속도 — 1600 Mbps (PC3L-12800)
Number of Terminals — 96
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Form — BALL
Burst Length — 8
Number of Banks — 8
Refresh Period — 7.8 us at 85C
RoHS — Compliant
할로겐 프리 — Yes

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