MT41K256M16HA-125IT:E vs NT5CC256M16CP-DIB1 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125IT:E von Micron Technology und NT5CC256M16CP-DIB1 von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125IT:E MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E - 4Gb DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125IT:E ✓ Aktiv
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB1 NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIB1 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125IT:E NT5CC256M16CP-DIB1
Marke Micron Technology Nanya Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $4,50 $6,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Speed 800 MHz —
CAS-Latenz 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch
Anzahl der Pins 96 —
Schnittstelle Parallel —
Betriebstemperatur -40°C to +95°C 0C to +95C (Tcase)
Montageart Surface Mount —
Logic Family CMOS —
Lead Free Yes Yes
RoHS-Status Compliant —
Datenrate DDR3L-1600 1600Mbps (DDR3L-1600)
Number of Banks — 8
CAS Latency (CL) — 11
Write Latency (CWL) — 8
tRCD/tRP — 11
Burst Length — 8 (BL8) and 4 (BC4)
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern