MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-15EM:E von Micron Technology und K4B4G1646D-BYK00 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ AktivSamsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-15EM:E | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,95 | $7,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V (1.5V compatible) | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Datenrate | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1600 Mbps |
| CAS-Latenz | 15 | Programmable |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball TFBGA |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0°C to 85°C |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| RoHS | — | Compliant |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |