MT41K256M16HA-15EM:E vs K4B4G1646D-BYK00 比較

詳細な並列比較: MT41K256M16HA-15EM:E メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BYK00 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16HA-15EM:E ✓ 生産中
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT41K256M16HA-15EM:E K4B4G1646D-BYK00
ブランド Micron Technology Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $5.95 $7.50
メモリタイプ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
メモリ構成 256M x 16 256M x 16
電源電圧 1.35 V (1.5V compatible) 1.35 V (also operates at 1.5 V)
データレート 1333 Mbps (DDR3L-1333) 1600 Mbps
CASレイテンシ 15 Programmable
パッケージ 96-ball FBGA (9x14mm) 96-ball TFBGA
実装タイプ Surface Mount —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 85°C
RoHS ステータス Compliant —
Lead-Free Yes Yes
ピン数 96 —
Access Time 13.75 ns —
Clock Frequency 800 MHz —
インターフェース Parallel —
Number of Terminals — 96
Additional Features — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination
RoHS — Compliant
ハロゲンフリー — Yes
Package Shape — RECTANGULAR
Temperature Grade — OTHER

データシート&リソース

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