MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16LY-107:N von Micron Technology und H5TQ4G63AFR-H9C von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16LY-107:N | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3 SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Maximale Taktfrequenz | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.5 V |
| Gehäuse / Bauform | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| Montagestil | Surface Mount | — |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Gehäuse | — | 96-ball TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Datenrate | — | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |