MT41K256M16LY-107:N vs H5TQ4G63AFR-H9C Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16LY-107:N par Micron Technology et H5TQ4G63AFR-H9C par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16LY-107:N ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16LY-107:N | H5TQ4G63AFR-H9C |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $6,50 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3 SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Fréquence d'horloge maximale | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.5 V |
| Boîtier / Format | 96-FBGA (7.5x13.5) | — |
| Style de montage | Surface Mount | — |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Memory Format | DRAM | — |
| Technology | DDR3L | — |
| Supply Voltage - Min | 1.283 V | — |
| Supply Voltage - Max | 1.45 V | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Clock Speed (tCK) | — | 0.255 ns |
| Boîtier | — | 96-ball TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Temperature Grade | — | OTHER |
| Sans halogène | — | Yes |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Débit de données | — | 3.9 Gbps per pin (approx) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |