MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107:P | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $16,00 | $14,10 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Clock Frequency | 933 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Datenrate | 1866 MT/s | — |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| CAS-Latenz | 13 | — |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |