MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
Teilenummer: MT41K256M16TW-107:P ✓ Aktiv| Menge | Stückpreis | Gesamt |
|---|---|---|
| 1 | $19.42 | $19,42 |
| 10 | $18.5 | $185,00 |
| 100 | $17.6 | $1.760,00 |
| 500 | $16.8 | $8.400,00 |
| 1.000 | $16 | $16.000,00 |
MT41K256M16TW-107:P Übersicht
DDR3L SDRAM (Double Data Rate 3 Low Voltage) ist eine Art synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher, der im Vergleich zu Standard-DDR3 (1,5V) mit einer niedrigeren Spannung (1,35V) arbeitet und so den Stromverbrauch um bis zu 20 % senkt, während die Leistung ähnlich bleibt. Er gehört zur DDR3-Familie, die Double-Data-Rate-Signalisierung nutzt, um Daten auf beiden Taktflanken zu übertragen, und wird häufig in Servern, Laptops und eingebetteten Systemen eingesetzt. DDR3L ist abwärtskompatibel mit DDR3-Steckplätzen und somit eine vielseitige Wahl für Upgrades und neue Designs.
Zu den Hauptmerkmalen gehören eine Dichte von 4Gbit, ein 16-Bit-Datenbus, eine Taktfrequenz von 933 MHz und die Unterstützung von JEDEC-konformem DDR3L-1866-Timing. Der Baustein bietet Auto Self-Refresh, Auto Precharge, Write Leveling, dynamische On-Chip-Terminierung (ODT) und ZQ-Kalibrierung, um Signalintegrität und zuverlässigen Betrieb zu gewährleisten. Er arbeitet über einen Temperaturbereich von 0°C bis +95°C und eignet sich somit für kommerzielle und industrielle Umgebungen.
Technisch gesehen verwendet der MT41K256M16TW-107:P einen Hochleistungs-CMOS-Prozess und bietet eine programmierbare CAS-Latenz von 11, 12, 13 und 14 bei einer Burst-Länge von 8 und Burst Chop von 4. Er unterstützt On-Die-Terminierung (ODT) für verbesserte Signalintegrität und enthält eine DLL für präzise Taktausrichtung. Der Baustein ist RoHS-konform und bleifrei und erfüllt damit Umweltstandards.
Typische Anwendungen umfassen High-Performance-Computing, Netzwerkausrüstung, Industrieautomation und eingebettete Systeme, bei denen geringer Stromverbrauch und hohe Bandbreite entscheidend sind. Der Betrieb mit 1,35V reduziert die thermische Belastung und macht ihn ideal für kompakte, leistungsempfindliche Designs.
Achten Sie beim Design mit diesem Baustein auf geeignete Entkopplungskondensatoren in der Nähe der Versorgungspins und befolgen Sie die Layout-Richtlinien im Datenblatt, um Signalintegritätsprobleme zu minimieren. Der Baustein benötigt eine stabile 1,35V-Versorgung und eine sorgfältige Terminierung der Adress-/Steuerleitungen.
Drop-in-Alternativen für MT41K256M16TW-107:P – gleiches Gehäuse, Pin-kompatibel. Bauteile mit anderem Gehäuse, die eine PCB-Überarbeitung erfordern, sind ausgeschlossen.
Varianten dieser Serie
Modelle derselben Serie, die drop-in-kompatibel sind mit MT41K256M16TW-107:P (gleiche Bauform und Footprint) – abweichend in Package, Supply Voltage, Memory Type, Memory Size, Data Rate.
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MT41K256M16TW-107IT:P
✅ Drop-In📋 Referenzalternative (nicht im Katalog)
MT41K256M16TW-107AIT:P
✅ Drop-In📋 Referenzalternative (nicht im Katalog)
MT41K256M16HA-125XIT:E
✅ Drop-In📋 Referenzalternative (nicht im Katalog)
K4B4G1646D-BYMA
✅ Drop-In📋 Referenzalternative (nicht im Katalog)
AS4C256M16D3LC-10BCN
✅ Drop-In📋 Referenzalternative (nicht im Katalog)
MT41K256M16TW-107:P Grenzwerte & elektrische Eigenschaften
| Speichertyp | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | 933 MHz |
| Datenrate | 1866 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35V |
| I/O Voltage | 1.35V |
| CAS-Latenz | 13 |
| tRCD | 20 ns |
| tRP | 20 ns |
| Burst Length | 8 |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C |
| Montageart | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant |
| Lead-Free | Yes |
MT41K256M16TW-107:P Pin-Konfiguration
| Pin A1 | VDD — Power supply (1.35V) |
| Pin A2 | DQ0 — Data input/output 0 |
| Pin A3 | DQ1 — Data input/output 1 |
| Pin A4 | VSS — Ground |
| Pin B1 | DQ2 — Data input/output 2 |
| Pin B2 | DQ3 — Data input/output 3 |
| Pin B3 | VDDQ — I/O power supply (1.35V) |
| Pin B4 | DQ4 — Data input/output 4 |
| Pin C1 | DQ5 — Data input/output 5 |
| Pin C2 | DQ6 — Data input/output 6 |
| Pin C3 | DQ7 — Data input/output 7 |
| Pin C4 | VSS — Ground |
Typische Anwendungen
MT41K256M16TW-107:P ist geeignet für 6 Anwendungs: High-Performance Computing, Networking Equipment, Industrial Automation, Embedded Systems, Consumer Electronics, Automotive Infotainment.
High-Performance Computing
The MT41K256M16TW-107:P provides 4Gbit of DDR3L memory at 1866 MT/s, making it ideal for servers and workstations where high bandwidth and low power are critical. Its 1.35V operation reduces thermal load, enabling denser memory configurations. The 96-FBGA package allows compact PCB layouts, and the 16-bit data bus simplifies routing in multi-rank designs. With a CAS latency of 13, it balances speed and latency for compute-intensive workloads.
Empfohlen
Networking Equipment
In routers and switches, the MT41K256M16TW-107:P offers high-speed packet buffering with 1866 MT/s data rate and low latency. Its auto self-refresh and write leveling features ensure reliable operation in high-traffic environments. The 1.35V supply reduces power consumption in always-on network devices. The 96-FBGA package is suitable for space-constrained line cards, and the 16-bit interface simplifies connection to network processors.
Empfohlen
Industrial Automation
The MT41K256M16TW-107:P operates from 0°C to +95°C, making it suitable for industrial control systems. Its robust design includes dynamic ODT and ZQ calibration for signal integrity in noisy environments. The 4Gbit density supports large data logging and real-time processing. The 1.35V operation reduces heat generation in sealed enclosures, and the 96-FBGA package withstands vibration in factory settings.
Empfohlen
Embedded Systems
For embedded applications, the MT41K256M16TW-107:P provides a balance of performance and power efficiency. Its 1.35V supply is ideal for battery-powered devices, and the 4Gbit capacity supports complex applications like image processing. The 96-FBGA package is compact, and the 16-bit bus reduces pin count, simplifying PCB design. Auto self-refresh extends battery life in standby modes.
Empfohlen
Consumer Electronics
In consumer devices like smart TVs and set-top boxes, the MT41K256M16TW-107:P delivers high bandwidth for smooth video playback and multitasking. Its low voltage reduces heat, enabling slim designs. The 96-FBGA package is suitable for compact PCBs, and the 1866 MT/s data rate supports 4K video streams. Write leveling ensures reliable operation in high-speed interfaces.
Empfohlen
Automotive Infotainment
The MT41K256M16TW-107:P is used in automotive infotainment systems where reliability and temperature range are critical. While not AEC-Q100 qualified, the industrial temperature variant (MT41K256M16TW-107IT:P) is available for -40°C to +95°C operation. The 4Gbit density supports navigation and multimedia, and the 1.35V supply reduces power in vehicle electrical systems. The 96-FBGA package withstands vibration.
Empfohlen
Zusammenfassung der empfohlenen Produkte
Technische Referenzdaten für MT41K256M16TW-107:P – Vergleich, Designhinweise und Compliance-Informationen.
Auswahlhilfe
Vergleich mit Alternativen
| Parameter | Dieses Produkt | MT41K256M16TW-107IT:P | MT41K256M16TW-107AIT:P | K4B4G1646D-BYMA |
|---|---|---|---|---|
| Package | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) | 96-FBGA (8x14mm) |
| Brand | Micron Technology | Micron Technology | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Memory Size | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit | 4Gbit |
| Data Rate | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s | 1866 MT/s |
| Supply Voltage | 1.35V | 1.35V | 1.35V | 1.35V |
| Operating Temperature | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C | -40°C to +95°C | 0°C to +95°C |
| CAS Latency | 13 | 13 | 13 | 13 |
| AEC-Q100 | No | No | Yes | No |
Wichtigste Unterscheidungsmerkmale
- Höhere Datenrate (1866 MT/s) im Vergleich zum MT41K256M16HA-125XIT:E (1600 MT/s) (vs. MT41K256M16HA-125XIT:E)
- Niedrigere Spannung (1,35V) im Vergleich zu Standard-DDR3 (1,5V) (vs. Standard-DDR3-Bausteine)
- Industrieller Temperaturbereich verfügbar (MT41K256M16TW-107IT:P) (vs. K4B4G1646D-BYMA)
Designhinweise
Der MT41K256M16TW-107:P benötigt eine stabile 1,35V-Versorgung. Verwenden Sie keramische Kondensatoren mit niedrigem ESR (0,1uF und 1uF), die nahe an jedem VDD- und VDDQ-Pin platziert werden, um die Spannungswelligkeit zu minimieren. Stellen Sie sicher, dass die Versorgungsebene über den relevanten Frequenzbereich eine niedrige Impedanz aufweist.
Befolgen Sie die Layout-Richtlinien im Micron-Datenblatt für das DDR3L-Routing. Gleichen Sie die Leitungslängen für DQ-, DQS- und Adress-/Steuersignale ab, um die Signalintegrität zu gewährleisten. Verwenden Sie Leitungen mit kontrollierter Impedanz (typischerweise 40-60 Ohm) und sorgen Sie für eine ordnungsgemäße Terminierung der Adress-/Steuerleitungen.
Der Baustein arbeitet bis +95°C, aber stellen Sie in Hochleistungssystemen eine ausreichende Luftzirkulation oder Kühlung sicher. Die 1,35V-Versorgung reduziert die Verlustleistung, aber in dichten Speicherarrays können thermische Vias unter dem FBGA-Gehäuse helfen, die Wärme abzuführen.
Compliance-Informationen
RoHS compliant per JLCPCB listing. Lead-free per Micron. Not AEC-Q100 qualified for standard part; automotive grade available as MT41K256M16TW-107AIT:P.
