MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107 von Micron Technology und H5TC4G63CFR-xxL von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16TW-107 H5TC4G63CFR-xxL
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $14,10 $6,50
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Schnittstelle Parallel DDR3L
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V
Datenbusbreite 16 bit —
Gehäuse 96-FBGA (8x14 mm) 96-pin FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to +95C (commercial :P grade) —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] —
MSL-Level [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 4Gb
Datenrate — [DATA_NEEDED: data rate]
CAS-Latenz — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8 (with burst chop)
Betriebstemperaturbereich — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Halogenfrei — Yes
Anzahl der Pins — 96

Datenblätter & Ressourcen

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