MT41K256M16TW-107 vs H5TC4G63CFR-XXL Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-107 par Micron Technology et H5TC4G63CFR-xxL par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Actif
SK hynix
H5TC4G63CFR-xxL H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63CFR-xxL ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16TW-107 H5TC4G63CFR-xxL
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $14,10 $6,50
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Interface Parallel DDR3L
Clock Frequency 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V 1.35V
Largeur du bus de données 16 bit —
Boîtier 96-FBGA (8x14 mm) 96-pin FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to +95C (commercial :P grade) —
Auto Self-Refresh Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Die Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Density — 4Gb
Débit de données — [DATA_NEEDED: data rate]
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency]
Burst Length — 8 (with burst chop)
Plage de température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Nombre de broches — 96

Fiches techniques et ressources

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