MT41K256M16TW-107 vs IS43TR16256AL-107MBLI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107 von Micron Technology und IS43TR16256AL-107MBLI von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107 | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,10 | $2,00 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | 20 ns |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (commercial :P grade) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Datenrate | — | 1866 Mbps |
| Gehäuse / Bauform | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | 8 and 4 |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Memory Interface | — | Parallel |