MT41K64M16TW-107 vs K4B4G1646E-BYK000 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K64M16TW-107 von Micron Technology und K4B4G1646E-BYK000 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K64M16TW-107 MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology

MT41K64M16TW-107 ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYK000 K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Samsung

K4B4G1646E-BYK000 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K64M16TW-107 K4B4G1646E-BYK000
Marke Micron Technology Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,95 $0,56
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speichergröße 1 Gbit 4 Gbit
Speicherorganisation 64M x 16 256M x 16
Schnittstelle Parallel Parallel
Clock Frequency 933 MHz 800 MHz
Datenrate 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) —
Access Time 20 ns 1.25 ns
Versorgungsspannung 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) —
Technology CMOS DRAM —
Betriebstemperatur 0C to +95C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Gehäuse 96-FBGA (8 x 14 mm) 96-FBGA (BYK)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Refresh Self refresh / auto refresh —
RoHS-Status Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Base Part Number MT41K64M16 —
Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) —
Speed Grade — DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle)
CAS Latency (CL) — [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data]
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3)
Number of Banks — [DATA_NEEDED: bank count]
Die Process — Samsung E-die
Eigenschaften — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask

Datenblätter & Ressourcen

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