MT41K64M16TW-107 vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K64M16TW-107 par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 - 1Gbit DDR3L SDRAM 1866MT/s | Micron Technology
MT41K64M16TW-107 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K64M16TW-107 | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,95 | $0,56 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 1 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Débit de données | 1866 MT/s (DDR3-1866 speed grade -107) | — |
| Access Time | 20 ns | 1.25 ns |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | — |
| Technology | CMOS DRAM | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Refresh | Self refresh / auto refresh | — |
| Statut RoHS | Compliant (lead-free, halogen-free suffix J) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Base Part Number | MT41K64M16 | — |
| Supply Voltage - DDR3 Compatible Mode | 1.5 V (refer to DDR3 datasheet specifications) | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |