MT53E1G32D2FW-046 WT:B vs WT:A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT53E1G32D2FW-046 WT:B von Micron Technology und WT:A von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 WT:B MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B - 32Gb LPDDR4 SDRAM | Micron

MT53E1G32D2FW-046 WT:B ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT53E1G32D2FW-046 WT:B WT:A
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $98,44 $9,85
Speichertyp Volatile, Mobile LPDDR4 SDRAM (LPDRAM) Mobile LPDDR4 SDRAM
Memory Capacity 32 Gbit (4 GB) —
Speicherorganisation 1G x 32 1536M x 32
Interface / Bus Width Parallel, 32-bit —
Clock Frequency (max) 2.133 GHz (2133 MHz) —
Data Rate (per pin) 4266 MT/s —
Clock Access Time (tCK) 3.5 ns —
Speed Bin -046 —
Supply Voltage VDD2 1.1 V 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Supply Voltage VDDQ 1.1 V (LPDDR4X) / 1.8 V (LPDDR4) 1.1 V (typ, JEDEC LPDDR4)
Gehäuse 200-ball TFBGA (10 mm x 14.5 mm) 200-ball TFBGA
Betriebstemperatur -25C to +85C [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
Montageart Surface Mount Surface Mount
Die Configuration Dual-Die Package (DDP) —
On-Die Features Auto precharge, Data mask, ZQ calibration, Write leveling, Built-in temperature sensor, Asynchronous reset —
RoHS-Status Compliant Compliant
Density — 48 Gbit (6 GB)
Maximum Data Rate — 2.133 GHz
Speed Bin Suffix — -046 (2133 MHz)
Supply Voltage VDD1 — 1.8 V (typ, JEDEC LPDDR4)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]
Schnittstelle — LPDDR4 command/address + 32-bit DQ
JEDEC Standard — JESD209-4 (LPDDR4)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh per JEDEC

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