N25Q512A13G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von N25Q512A13G12A0F von Micron Technology und N25Q512A83GSFA0F von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
N25Q512A13G12A0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz AEC-Q100 | Micron
N25Q512A13G12A0F ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | N25Q512A13G12A0F | N25Q512A83GSFA0F |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $0,00 | $0,00 |
| Speichertyp | NOR Flash - Serial SPI | FLASH - NOR (Serial SPI) |
| Density | 512 Mbit (64 MB) | — |
| Speicherorganisation | 512M x 1 / 256M x 2 / 128M x 4 bit | 128M x 4 |
| Schnittstelle | SPI, Dual SPI, Quad SPI | SPI - Multiple I/O |
| Max Clock Frequency | 108 MHz | 108 MHz |
| Versorgungsspannung | 3V / 3.3V | 2.7 V to 3.6 V |
| Access Time | 8 ns | — |
| Sector Erase Size | 4 KB | 4 KB |
| Betriebstemperatur | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Temperature Grade | Automotive (AEC-Q100) | — |
| Gehäuse | 24-ball TFBGA (6x8 mm) | 16-SO (SOIC DDP) |
| Number of Terminals | 24 | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| Speichergröße | — | 512Mb (128M x 4) |
| Technology | — | SLC NOR Flash |
| Write Cycle Time - Word, Page | — | 8 ms, 5 ms |
| Memory Format | — | FLASH |
| Non-Volatile Category | — | Non-Volatile Memory |
| Package Body Size | — | [DATA_NEEDED: package body dimensions] |