N25Q512A13G12A0F vs N25Q512A83GSFA0F Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de N25Q512A13G12A0F par Micron Technology et N25Q512A83GSFA0F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
N25Q512A13G12A0F N25Q512A13G12A0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz AEC-Q100 | Micron

N25Q512A13G12A0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz AEC-Q100 | Micron

N25Q512A13G12A0F ✓ Actif
Micron Technology
N25Q512A83GSFA0F N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F - 512Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q512A83GSFA0F ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre N25Q512A13G12A0F N25Q512A83GSFA0F
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire NOR Flash - Serial SPI FLASH - NOR (Serial SPI)
Density 512 Mbit (64 MB) —
Organisation de la mémoire 512M x 1 / 256M x 2 / 128M x 4 bit 128M x 4
Interface SPI, Dual SPI, Quad SPI SPI - Multiple I/O
Max Clock Frequency 108 MHz 108 MHz
Tension d'alimentation 3V / 3.3V 2.7 V to 3.6 V
Access Time 8 ns —
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Temperature Grade Automotive (AEC-Q100) —
Boîtier 24-ball TFBGA (6x8 mm) 16-SO (SOIC DDP)
Number of Terminals 24 —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Taille de mémoire — 512Mb (128M x 4)
Technology — SLC NOR Flash
Write Cycle Time - Word, Page — 8 ms, 5 ms
Memory Format — FLASH
Non-Volatile Category — Non-Volatile Memory
Package Body Size — [DATA_NEEDED: package body dimensions]

Fiches techniques et ressources

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