NT5AD512M16C4-HR vs NT5AD512M16C4-HRI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-HR von Nanya Technology und NT5AD512M16C4-HRI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-HRI ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-HR | NT5AD512M16C4-HRI |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $43,10 | $45,94 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Datenrate | 1.333 GHz (DDR4-2666) | 3200 MT/s (H speed grade) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (TFBGA) | 96-pin TFBGA |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Temperature Grade | — | Industrial (0°C to +95°C) |
| CAS-Latenz | — | 22 |